太陽(yáng)能電池是緩解動(dòng)力危機(jī)的新型光伏器材。太陽(yáng)能電池能夠運(yùn)用在價(jià)格低廉的陶瓷、石墨、金屬片等不同資料當(dāng)基板來(lái)制作，構(gòu)成可發(fā)生電壓的厚度僅需數(shù)μm，現(xiàn)在轉(zhuǎn)化功率最高能夠達(dá)13%。電池太陽(yáng)電池除了平面之外，也由于具有可撓功用夠制作成非平面結(jié)構(gòu)其運(yùn)用規(guī)模大，可與修建物結(jié)合或是變成修建體的一部份，運(yùn)用非常廣泛。
發(fā)電，是依靠具有輕、薄、柔特征的太陽(yáng)能電池芯片，像英特爾芯片（IntelInside）相同嵌入各類(lèi)載體，供給清潔電力。比如將太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)備加載到手機(jī)、iPad、背包、帳篷、衣服、特種配備上，或許太陽(yáng)能轎車(chē)，能夠在太陽(yáng)下邊行進(jìn)邊充電，擺脫對(duì)充電樁的依靠。產(chǎn)品被運(yùn)用在農(nóng)業(yè)、修建建材、轎車(chē)乃至是無(wú)人機(jī)、衛(wèi)星等范疇。
發(fā)電技能具有柔性可曲折、質(zhì)量輕、弱光性好、色彩可調(diào)、形狀可塑等優(yōu)勢(shì)。柔性砷化鎵太陽(yáng)能電池片發(fā)生的效能比全球量產(chǎn)的單晶硅技能提高8%，比多晶硅高出10%；相同面積下，其發(fā)生的效能可達(dá)一般柔性太陽(yáng)能電池的2~3倍。發(fā)電，便是讓人類(lèi)像綠色植物相同直接運(yùn)用陽(yáng)光，發(fā)電能夠理解為“人造葉綠素”。發(fā)電技能可廣泛運(yùn)用在分布式發(fā)電、移動(dòng)3C產(chǎn)品、可穿戴設(shè)備以及太陽(yáng)能全動(dòng)力轎車(chē)、太陽(yáng)能無(wú)人機(jī)、衛(wèi)星等各種范疇。
砷化鎵技能-Alta
砷化鎵雙結(jié)電池的最高轉(zhuǎn)化率為31.6%，而砷化鎵單結(jié)電池的轉(zhuǎn)化率也已經(jīng)達(dá)到29.1%。
砷化鎵（GaAs）因其優(yōu)異的功用和可靠性，代表了光伏技能的領(lǐng)先水平。傳統(tǒng)的GaAs電池片極端貴重，重且易碎，完全不適于移動(dòng)電源體系。Alta Devices砷化鎵高效太陽(yáng)能電池技能則具有高功率、低本錢(qián)、發(fā)電功用優(yōu)異等特征，且產(chǎn)品輕質(zhì)柔性，可完美地運(yùn)用于移動(dòng)電源體系。
Alta Devices在GaAs芯片上選用金屬有機(jī)物氣相堆積MOCVD技能完結(jié)光伏器材的外延成長(zhǎng)，并選用濕法工藝把器材連同柔性襯底從芯片上剝離下來(lái)，之后根據(jù)用戶(hù)需求，制成不同尺寸的產(chǎn)品。Alta Devices自主開(kāi)發(fā)的MOCVD快速成長(zhǎng)技能和大面積外延層剝離技能，使其具有很大的本錢(qián)降低潛力，并適合規(guī)模化出產(chǎn)。
銅銦鎵硒技能-GSE
GSE選用柔性共蒸發(fā)CIGS技能。該技能是在30微米厚不銹鋼襯底上經(jīng)過(guò)卷對(duì)卷出產(chǎn)工藝（Roll to Roll）均勻堆積CIGS太陽(yáng)電池器材的各功用性膜層，其優(yōu)勢(shì)為經(jīng)過(guò)選用多點(diǎn)分布式蒸發(fā)源，提高堆積膜厚度均勻性；共蒸工序時(shí)間短（<4min）；原資料易獲得（Cu、In、Se顆粒，Ga液態(tài)）；雙XRF監(jiān)測(cè)共蒸發(fā)堆積膜厚及成分，違背方針時(shí)自動(dòng)調(diào)節(jié)蒸發(fā)源進(jìn)行補(bǔ)償；原資料運(yùn)用率高，共蒸室壁的資料能夠充分收回運(yùn)用；粉塵處理簡(jiǎn)單（更換護(hù)板），蒸發(fā)源保護(hù)快捷（6小時(shí)保護(hù)時(shí)間）。
此外，GSE還具有獨(dú)有的ICI（Integrated Cell Interconnect）封裝技能。該技能選用圖形化的鍍膜方法制備內(nèi)部結(jié)構(gòu)愈加致密的銅前電極，削減了遮擋面積，降低了元件串聯(lián)電阻，并經(jīng)過(guò)激光焊接方法完結(jié)電池極銜接，消除了短路問(wèn)題，從電池到組件的功率損失大幅減小。
銅銦鎵硒技能-Solibro
Solibro具有35年的技能研制及10年的實(shí)體出產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，涉及專(zhuān)利88項(xiàng)，已具有設(shè)備—工藝—產(chǎn)業(yè)化交鑰匙工程的集成能力和交付經(jīng)驗(yàn)，以及低產(chǎn)線建造和出產(chǎn)本錢(qián)的集成控制能力。
中心共蒸發(fā)技能選用獨(dú)有的CIGS點(diǎn)源共蒸發(fā)技能，具有從下向上蒸發(fā)、多點(diǎn)源體系、相對(duì)較大的源與基板間隔的特征。CIGS電池各功用性膜層在不同的專(zhuān)用設(shè)備中完結(jié)鍍膜。設(shè)備功用穩(wěn)健（Robust），保護(hù)快速、產(chǎn)出率高、稼動(dòng)率高，且具有很強(qiáng)的未來(lái)功率和工藝晉級(jí)靈活性。
現(xiàn)在，Solibro可按客戶(hù)需求從規(guī)劃CIGSPOWERLINE交鑰匙工程開(kāi)端，直至產(chǎn)線啟動(dòng)運(yùn)轉(zhuǎn)，供給全面支援，包括自主規(guī)劃的CIGS共蒸發(fā)體系等全線設(shè)備，保證高品質(zhì)的CIGS中心工藝以及高的元件轉(zhuǎn)化功率。
銅銦鎵硒技能-MiaSolé
世界領(lǐng)先的CIGS發(fā)電技能，分別為Solibro（根據(jù)玻璃襯底的共蒸發(fā)技能），MiaSolé（濺射技能）以及Global Solar Energy（根據(jù)柔性襯底的共蒸發(fā)技能）。無(wú)論在轉(zhuǎn)化功率還是出產(chǎn)本錢(qián)，CIGS技能均已可與晶硅比美；且與晶硅比較，具有許多特性，如柔性襯底，更美觀和更高的熱體現(xiàn)等，運(yùn)用效益遠(yuǎn)多于多晶硅。
MiaSolé選用CIGS技能出產(chǎn)太陽(yáng)能電池和元件。該技能是根據(jù)軸對(duì)軸渠道，其中所有由CIGS太陽(yáng)能電池構(gòu)成的層，均在單臺(tái)物理氣相堆積（PVD）流程體系中依次濺射堆積至單塊玻璃的柔性不銹鋼襯底之上，之后完成電池構(gòu)成自動(dòng)化以及進(jìn)行100%線上測(cè)試以此構(gòu)成的柔性電池制作，碳排放小、本錢(qián)開(kāi)銷(xiāo)低；具有高出產(chǎn)率和低本錢(qián)。出產(chǎn)的柔性電池用于玻璃和輕質(zhì)柔性組件出產(chǎn)線、消費(fèi)者產(chǎn)品及其它不同的運(yùn)用。
MiaSolé已經(jīng)向遍及五大洲超過(guò)三十個(gè)客戶(hù)交付了超過(guò)80MW的玻璃和柔性組件。
高效硅異質(zhì)結(jié)技能-HIT
高效硅異質(zhì)結(jié)技能是指帶有本征層非晶硅資料的異質(zhì)結(jié)技能。該技能是在n型或許p型的單晶硅片正反兩面一共成長(zhǎng)上6層，其本質(zhì)是一種技能。雙面SHJ電池的結(jié)構(gòu)為Ag柵/ITO膜/p型非晶硅膜/本征非晶硅膜/n型單晶硅片/本征非晶硅膜/n型非晶硅膜/背面ITO膜/背面Ag柵。其中的非晶硅厚度只有5-10nm，可運(yùn)用非晶硅的慣例低溫堆積技能完成堆積（例如PECVD）。正反面ITO可由濺射法（PVD）制備，產(chǎn)業(yè)化本錢(qián)較低。由于本征非晶硅膜對(duì)硅片表面良好的鈍化效果，使得器材的反向飽和電流降低了近2個(gè)數(shù)量級(jí)，電池的開(kāi)路電壓和光電轉(zhuǎn)化功率得到大幅提升，能夠完成25%以上的電池功率和23%以上的組件功率。
高效的組件功率可節(jié)省占地面積、支架和人工費(fèi)用等BOS本錢(qián)。一起，高的開(kāi)路電壓帶來(lái)了較低的溫度系數(shù)（-0.29%/℃），使其在實(shí)際發(fā)電中有更好的電量輸出，相對(duì)慣例晶硅組件發(fā)電量高出~6%。別的，其雙面對(duì)稱(chēng)的電池結(jié)構(gòu)能夠完成雙面發(fā)電，根據(jù)不同的地面狀況和不同的裝置角度，相同裝機(jī)容量下相對(duì)晶硅單面組件有12-35%的發(fā)電增益，可進(jìn)一步降低度電本錢(qián)。SHJ電池選用n型的單晶硅片，其組件在實(shí)際運(yùn)用中不存在光致衰減（LID）和電致衰減（PID），環(huán)境安穩(wěn)性更好。
產(chǎn)品特性：電池轉(zhuǎn)化功率23%以上，組件功用安穩(wěn)，溫度系數(shù)低，高溫下功率輸出高，雙玻封裝壽命可達(dá)30年以上，且雙面均可發(fā)電，使發(fā)電量大幅添加。
方針商場(chǎng)：可廣泛用于分布式電站，光伏修建壹體化，隔音墻，農(nóng)/漁光互補(bǔ)，污水處理廠光伏發(fā)電，移動(dòng)動(dòng)力等商場(chǎng)。
非晶硅/硅鍺技能
非晶硅和硅鍺均為硅的非結(jié)晶同素異形體，可在低溫下沉降于不同品種的襯底之上。它為各種電子產(chǎn)品供給了一些共同的功用。與多晶硅(mc-Si)比較，非晶硅的電子體現(xiàn)較低，然而在實(shí)際運(yùn)用中更具靈活性。例如，非晶硅層能夠制作得比晶硅更薄，可節(jié)省更多的硅基資料本錢(qián)。
硅基的另一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)在于其可在低溫下完成堆積（例如75℃），不只能在玻璃上，并且能在廉價(jià)的塑膠上完成堆積，使之成為了軸對(duì)軸加工技能的最佳方案。堆積時(shí)，非晶硅能夠類(lèi)似多晶硅般摻雜其它物質(zhì)，最終構(gòu)成電子設(shè)備。非晶硅現(xiàn)已成為電晶體活潑層，液晶顯示幕（LCD）和電池及組件的中心質(zhì)料。
非晶硅另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于其可經(jīng)過(guò)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相堆積（PECVD）完成大面積堆積。PECVD體系的規(guī)劃將極大地影響非晶硅元件本錢(qián)。因此，大多數(shù)設(shè)備供給商將要點(diǎn)放在規(guī)劃制作高輸送量的PECVD設(shè)備以完成更低的出產(chǎn)本錢(qián)。
經(jīng)過(guò)根據(jù)硅鍺串聯(lián)出產(chǎn)線自主研制Fab2.0體系的技能打破，本集團(tuán)完成了發(fā)電元件的更高轉(zhuǎn)化功率，更低的出產(chǎn)本錢(qián)（削減約9%），提升了發(fā)電組件的本錢(qián)效益和競(jìng)爭(zhēng)力。
納米晶硅技能
納米晶硅有晶體硅內(nèi)的非晶相顆粒，相對(duì)與完全由晶體硅顆粒構(gòu)成的多晶硅，由顆粒邊界離隔。二者的差異在于晶體顆粒的大小：納米晶硅內(nèi)的晶體顆粒多在納米級(jí)上下。因有晶體顆粒的存在，比較多晶硅而言，納米晶硅比非晶硅具有更好的電子遷移率，增強(qiáng)了對(duì)紅光和紅外線波長(zhǎng)的吸收，提升了光致安穩(wěn)性，使之成為硅基太陽(yáng)能電池的重要原資料。與非晶硅類(lèi)似，納米晶硅同樣是電晶體的活潑層、太陽(yáng)能電池和組件的上佳挑選。
納米晶硅最重要的優(yōu)勢(shì)在于其具有更好的安穩(wěn)性，比非晶硅更簡(jiǎn)單制作，可運(yùn)用非晶硅的慣例低溫堆積技能完成堆積（例如PECVD），而無(wú)需運(yùn)用制作晶硅的鐳射退火或高溫化學(xué)氣相堆積（CVD）流程。將納米晶硅和非晶硅/硅鍺技能結(jié)合成為多結(jié)太陽(yáng)能電池，電池轉(zhuǎn)化功率可提升至12%以上，而本錢(qián)卻能下降15%以上。
納米晶硅技能
納米晶硅有晶體硅內(nèi)的非晶相顆粒，相對(duì)與完全由晶體硅顆粒構(gòu)成的多晶硅，由顆粒邊界離隔。二者的差異在于晶體顆粒的大小：納米晶硅內(nèi)的晶體顆粒多在納米級(jí)上下。因有晶體顆粒的存在，比較多晶硅而言，納米晶硅比非晶硅具有更好的電子遷移率，增強(qiáng)了對(duì)紅光和紅外線波長(zhǎng)的吸收，提升了光致安穩(wěn)性，使之成為硅基太陽(yáng)能電池的重要原資料。與非晶硅類(lèi)似，納米晶硅同樣是電晶體的活潑層、太陽(yáng)能電池和組件的上佳挑選。
納米晶硅最重要的優(yōu)勢(shì)在于其具有更好的安穩(wěn)性，比非晶硅更簡(jiǎn)單制作，可運(yùn)用非晶硅的慣例低溫堆積技能完成堆積（例如PECVD），而無(wú)需運(yùn)用制作晶硅的鐳射退火或高溫化學(xué)氣相堆積（CVD）流程。將納米晶硅和非晶硅/硅鍺技能結(jié)合成為多結(jié)太陽(yáng)能電池，電池轉(zhuǎn)化功率可提升至12%以上，而本錢(qián)卻能下降15%以上。
制作技能
太陽(yáng)電池能夠運(yùn)用在價(jià)格低廉的玻璃、塑料、陶瓷、石墨，金屬片等不同資料當(dāng)基板來(lái)制作，構(gòu)成可發(fā)生電壓的厚度僅需數(shù)μm，因此在同一受光面積之下可較硅晶圓太陽(yáng)能電池大幅削減質(zhì)料的用量(厚度可低于硅晶圓太陽(yáng)能電池90%以上)，現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)化功率最高已達(dá)20%以上，規(guī)模化量產(chǎn)安穩(wěn)功率最高約13%。太陽(yáng)電池除了平面之外，也由于具有可撓功用夠制作成非平面結(jié)構(gòu)其運(yùn)用規(guī)模大，可與修建物結(jié)合或是變成修建體的一部份，在太陽(yáng)電池制作上，則可運(yùn)用各式各樣的堆積(deposition)技能，一層又一層地把p-型或n-型資料長(zhǎng)上去，常見(jiàn)的太陽(yáng)電池有非晶硅、CuInSe2 (CIS)、CuInGaSe2 (CIGS)、和CdTe..等。
模塊結(jié)構(gòu)
太陽(yáng)能模塊是由玻璃基板、金屬層、透明導(dǎo)電層、電器功用盒、膠合資料、半導(dǎo)體層..等所構(gòu)成的。
產(chǎn)品運(yùn)用
半透明式的太陽(yáng)能電池模塊：修建整合式太陽(yáng)能運(yùn)用(BIPV)
太陽(yáng)能之運(yùn)用：隨身折迭式充電電源、軍事、旅行
太陽(yáng)能模塊之運(yùn)用：房頂、修建整合式、遠(yuǎn)程電力供給、國(guó)防
厚度比較
晶體硅(180～250μm)、單結(jié)非晶硅(600nm)，疊層非晶硅（400nm~500nm）。
特征
1.相同遮蓋面積下功率損失較小(弱光情況下的發(fā)電性佳)
2.照度相同下?lián)p失的功率較晶圓太陽(yáng)能電池少
3.有較佳的功率溫度系數(shù)
4.較佳的光傳輸
5.較高的累積發(fā)電量
6.只需少數(shù)的硅質(zhì)料
7.沒(méi)有內(nèi)部電路短路問(wèn)題(聯(lián)機(jī)已經(jīng)在串聯(lián)電池制作時(shí)內(nèi)建)
8.厚度較晶圓太陽(yáng)能電池薄
9.資料供給無(wú)慮
10.可與建材整合性運(yùn)用(BIPV)
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